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納芯微高壓半橋驅動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案

  • 納芯微發(fā)布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。應用背景近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源、微型逆變器、車載充電機(OBC)等高壓大功率領域得到日益廣泛的應用。然而，GaN器件在實際應用中仍面臨諸多
  • 關鍵字： 納芯微  高壓半橋驅動  E-mode GaN  

GaN，助力6G

  • 新的基于 GaN 的架構將使海量數(shù)據(jù)的通信和傳輸變得更加容易。
  • 關鍵字： GaN  

Finwave籌集820萬美元短期投資以推動市場發(fā)展

  • 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投，技術合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術為中心的創(chuàng)新者轉變?yōu)楫a(chǎn)品驅動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012
  • 關鍵字： Finwave  短期投資  GaN  FinFET  

革新電力電子：氮化鎵雙向開關

  • 傳統(tǒng)方法的局限性多年來，工程師們一直致力于解決單向開關的基本限制。當需要雙向電壓阻斷時，設計人員必須使用多個分立元件實現(xiàn)背靠背配置，導致系統(tǒng)復雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會引入額外的寄生元件，從而影響開關性能和效率。此外，傳統(tǒng)的三端 UDS 設備無法獨立控制雙向電流流，限制了它們在高級電源轉換拓撲中的應用。 圖片由 Adobe Stock 提供 隨著行業(yè)向更高功率密度、更高效率和更低系統(tǒng)成本發(fā)展，這些挑戰(zhàn)變得越來越重要。傳統(tǒng)的使用背靠背分立開關的方法，在
  • 關鍵字： Gan  電源開關  

GaN可靠性里程碑突破硅天花板

  • 半導體行業(yè)正處于性能、效率和可靠性必須同步發(fā)展的階段。AI 基礎設施、電動汽車、電源轉換和通信系統(tǒng)的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來越受到關注，因為它可以滿足這些需求。該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規(guī)模地部署它。二十多年來，我專注于外延生長，見證了 GaN 從一種利基研究驅動型材料轉變?yōu)殡娏﹄娮宇I域的領先競爭者。進展是穩(wěn)定的，不是一蹴而就的。現(xiàn)在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統(tǒng)定位自己的公司。設備性能從外延開始對于 G
  • 關鍵字： GaN  可靠性  硅  

通過集成驅動器和高級保護功能簡化GaN電源設計

  • 高效率和高功率密度是為當今產(chǎn)品設計電源時的關鍵特性。為了實現(xiàn)這些目標，開發(fā)人員正在轉向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現(xiàn)高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅動和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
  • 關鍵字： 集成驅動器  高級保護  GaN  電源設計  

GaN FET在人形機器人中的應用

  • 引言人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現(xiàn)與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
  • 關鍵字： GaN FET  人形機器人  

【對話前沿專家】香港科技大學黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望

  • _____在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。香港科技大學在氧化鎵研究領域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設計、性能優(yōu)化和應用開發(fā)等多個方面。通過與國際科研機構和企業(yè)的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術的發(fā)展，也為相關領域的應用提供了重要的技術支持。黃文海教授的團隊主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長方面，聚焦優(yōu)化晶體生長工藝，通過改進熔體生長技術，成
  • 關鍵字： 香港科技大學  氧化鎵器件  GaN  

使用模擬預失真進行射頻功率放大器線性化

  • 我們探討了用于線性化射頻放大器的模擬預失真的基本概念，并回顧了一些常見的實現(xiàn)方式?，F(xiàn)代通信系統(tǒng)使用具有時變包絡和相位角的信號。為了處理這些信號，發(fā)射機需要線性功率放大器（PA）。然而，它們也需要高效率的功率放大器。正如我們所知，這樣的放大器不可避免地是非線性的。幸運的是，有許多方法可以線性化功率放大器的響應。我們在上一篇文章中了解到的一種方法是找到失真并將其從功率放大器的輸出信號中減去。這被稱為前饋線性化。預失真是另一種常用的線性化技術。它不是在輸出端校正信號，而是在功率放大器之前放置一個非線性電路，使組
  • 關鍵字： 線性化射頻放大器  RF  

英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

  • 英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓撲結構可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設
  • 關鍵字： 英飛凌  肖特基二極管  工業(yè)用  GaN  晶體管  

德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護級別、功率密度和效率水平

  • 新聞亮點：新款發(fā)布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數(shù)據(jù)中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業(yè)標準的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅動器與先進的保護功能相結合。中國上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數(shù)據(jù)中心需要更
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN  數(shù)據(jù)中心  電源管理芯片  保險絲  

Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

  • Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
  • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  

芯向未來，2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會成功舉辦

  • 3月14日，?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機器人、邊緣計算、氮化鎵應用等話題展開了精彩探討，首次在國內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術——300mm氮化鎵功率半導體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術創(chuàng)新領域的領先地位，并解讀最新產(chǎn)品與解決方案，為行業(yè)注入新動能，助力企業(yè)在低碳數(shù)字變革的浪潮中把握先機。2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
  • 關鍵字： 英飛凌  MCU  GaN  

GaN HEMT為開關應用帶來低噪聲功率

  • 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標準結或 MOSFET。這些獨特的器件在微波射頻 （RF） 應用中表現(xiàn)出色。來自 n 型區(qū)域的電子穿過晶格，許多電子保持在異質結附近（異質結是指通過兩個或多個半導體的接觸耦合形成的界面區(qū)域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開關能量 （Esw） 是在硬開關條
  • 關鍵字： GaN  HEMT  開關應用  低噪聲功率  

CGD 官宣突破100KW以上技術，推動GAN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場

  • 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
  • 關鍵字： CGD  GAN  電動汽車  驅動逆變器  
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